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IRF530A
Fig 7. Breakdown Voltage vs. Temperature
1.2
3.0
N-CHANNEL
POWER MOSFET
Fig 8. On-Resistance vs. Temperature
2.5
1.1
2.0
1.0
1.5
1.0
0.9
@ Notes :
@ Notes :
0.8
1. V GS = 0 V
2. I D = 250 μ A
0.5
0.0
1. V GS = 10 V
2. I D = 7.0 A
-75
-50
-25
0
25
50
75
100
125
150
175
200
-75
-50
-25
0
25
50
75
100
125
150
175
200
T J , Junction Temperature [ o C]
Fig 9. Max. Safe Operating Area
T J , Junction Temperature [ o C]
Fig 10. Max. Drain Current vs. Case Temperature
15
Operation in This Area
10 2
is Limited by R DS(on)
100 μ s
10 μ s
12
10 1
1 ms
9
10 ms
DC
6
10
0
@ Notes :
1. T C = 25 o C
2. T J = 175 o C
3. Single Pulse
3
10 -1
10 0
10 1
10 2
0
25
50
75
100
125
150
175
V DS , Drain-Source Voltage [V]
D=0.5
10 0
Fig 11. Thermal Response
T c , Case Temperature [ o C]
0.2
@ Notes :
1. Z θ J C (t)=2.74
o C/W
Max.
0.1
0.05
2. Duty Factor, D=t 1 /t 2
3. T J M -T C =P D M *Z θ J C (t)
10 - 1
0.02
P DM
0.01
single pulse
t 1
t 2
10 - 5
10 - 4
10 - 3
10 - 2
10 - 1
10 0
10 1
t 1 , Square Wave Pulse Duration
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